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FDD4N60NZ
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
FDD4N60NZ
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
FDD4N60NZ 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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onsemi
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TO-252AA
21+ -
41353
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上海市
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一级代理原装
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ON/ELNAF
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TO-252
1811+ -
5000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
FDD4N60NZ 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：UniFET-II?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：510 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：114W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-252AA
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63