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FCD600N60Z
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
FCD600N60Z
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
FCD600N60Z 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 日期
- 说明
- 询价
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onsemi
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TO-252AA
21+ -
27500
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上海市
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一级代理原装
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ORSEMI/安森美
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DPAK-3/TO-252-3
22+ -
668319
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上海市
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原装可开发票
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ONS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
FCD600N60Z 中文资料属性参数
- 现有数量：19,846现货
- 价格：1 : ￥16.14000剪切带（CT）2,500 : ￥7.37980卷带（TR）
- 系列：SuperFET? II
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 3.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1120 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：89W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-252AA
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63