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EPC2111
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2111
FET、MOSFET 阵列产品简介：GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2111 中文资料属性参数
- 现有数量：8,240现货
- 价格：1 : ￥24.33000剪切带（CT）2,500 : ￥12.21226卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：230pF @ 15V，590pF @ 15V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：模具