搜索
发布采购
EPC2110
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2110
FET、MOSFET 阵列产品简介：GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
EPC2110 中文资料属性参数
- 现有数量：14,755现货
- 价格：1 : ￥17.97000剪切带（CT）2,500 : ￥8.22637卷带（TR）
- 系列：eGaN?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 配置：2 N 沟道（双）共源
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：120V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 4A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 700μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.8nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：80pF @ 60V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：-
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：模具