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EPC2108
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2108
FET、MOSFET 阵列产品简介：GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
EPC2108 中文资料属性参数
- 现有数量：1,456现货
- 价格：1 : ￥13.83000剪切带（CT）
- 系列：eGaN?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 配置：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V，100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A，500mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：22pF @ 30V，7pF @ 30V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：9-VFBGA
- 供应商器件封装：9-BGA（1.35x1.35）
EPC2108 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 EPC2108ENGRT
|
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
9页,743K | 查看 |