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EPC2105
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2105
FET、MOSFET 阵列产品简介：GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2105 中文资料属性参数
- 现有数量：2,286现货
- 价格：1 : ￥69.56000剪切带（CT）500 : ￥45.28456卷带（TR）
- 系列：eGaN?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.5A，38A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 5V，10nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：300pF @ 40V，1100pF @ 40V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：模具
EPC2105 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 EPC2105ENG
|
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
9页,1.5M | 查看 |