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EPC2103ENGRT
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2103ENGRT
FET、MOSFET 阵列产品简介：GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
EPC2103ENGRT 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：eGaN?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.5nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7600pF @ 40V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：模具
EPC2103ENGRT 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 EPC2103ENGRT
|
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V |
9页,642K | 查看 |