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EPC2100ENGRT
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2100ENGRT
FET、MOSFET 阵列产品简介：GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
EPC2100ENGRT 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：500 : ￥39.33294卷带（TR）
- 系列：eGaN?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），40A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.9nC @ 15V，19nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：475pF @ 15V，1960pF @ 15V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：模具