EPC2024
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
EPC2024
单 FET,MOSFET产品简介:GANFET NCH 40V 60A DIE
EPC2024 中文资料属性参数
- 现有数量:5,393现货
- 价格:1 : ¥61.21000剪切带(CT)500 : ¥39.85048卷带(TR)
- 系列:eGaN?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET(氮化镓)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 毫欧 @ 37A,5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 19mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):+6V,-4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2100 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:模具
- 封装/外壳:模具