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EPC2018
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2018
单 FET，MOSFET产品简介：GANFET N-CH 150V 12A DIE
EPC2018 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：eGaN?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- FET 类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 6A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 3mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：+6V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：540 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：模具
- 封装/外壳：模具
EPC2018