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EPC2001C
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
EPC2001C
单 FET，MOSFET产品简介：GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC2001C 中文资料属性参数
- 现有数量：109,397现货
- 价格：1 : ￥37.36000剪切带（CT）2,500 : ￥18.76244卷带（TR）
- 系列：eGaN?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 25A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：+6V，-4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：900 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：模具
- 封装/外壳：模具
EPC2001C