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EFC4C012NLTDG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EFC4C012NLTDG
FET、MOSFET 阵列产品简介：NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
EFC4C012NLTDG 供应商
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onsemi
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21+ -
1075218
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上海市
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一级代理原装
EFC4C012NLTDG 中文资料属性参数
- 现有数量：5,000现货
- 价格：1 : ￥19.87000剪切带（CT）5,000 : ￥8.74206卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：最后售卖
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：2.5W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-SMD，无引线
- 供应商器件封装：6-WLCSP（3.5x1.9）