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EFC3J018NUZTDG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
EFC3J018NUZTDG
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
EFC3J018NUZTDG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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WLCSP-6
22+ -
668286
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上海市
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原装可开发票
EFC3J018NUZTDG 中文资料属性参数
- 现有数量：4,780现货
- 价格：1 : ￥8.51000剪切带（CT）5,000 : ￥3.41949卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：75nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：2.5W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-XFBGA，WLCSP
- 供应商器件封装：6-WLCSP（1.77x3.05）