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ECH8697R-TL-W
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
ECH8697R-TL-W
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28
ECH8697R-TL-W 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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0N
-
NA
2022+ -
60000
-
苏州
-
-
-
HB
-
onsemi
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TSSOP24
21+ -
12230
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上海市
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-
-
一级代理原装
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ON
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SOT-28
24+ -
1000
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深圳
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-
-
只做原装，好价支持
-
ON
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SOT-28
22+ -
10000
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杭州
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-
-
只做原装，假一赔十
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ORSEMI/安森美
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SOT-28 FL/ECH-8
22+ -
668282
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上海市
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原装可开发票
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ONSEMI
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原封
23+ -
10000
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上海市
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向毛主席保证原装特价
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ONSemi
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SC-75-3
新批号 -
887000
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上海市
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原厂直发进口原装微信同步QQ893727827
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ON/ELNAF
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SON-8
1810+ -
17154
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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ONSEMI
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Trans MOSFET N-CH 24V 10A 8-Pin SOT-28FL T/R
22+ -
9000
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上海市
-
-
-
原装，假一罚十
ECH8697R-TL-W 中文资料属性参数
- 现有数量：4,574现货
- 价格：1 : ￥4.93000剪切带（CT）3,000 : ￥1.90005卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：24V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.6 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：1.5W
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：SOT-28FL/ECH8