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DMTH69M8LFVWQ-13
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMTH69M8LFVWQ-13
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
DMTH69M8LFVWQ-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥2.38807卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28ns/198ns
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1925 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：LMR-1700
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装：PowerDI3333-8（SWP）UX 类
- 封装/外壳：8-PowerVDFN