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DMT32M6LDG-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMT32M6LDG-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT32M6LDG-13 中文资料属性参数
- 现有数量：3,000现货21,000Factory
- 价格：1 : ￥12.32000剪切带（CT）3,000 : ￥5.23549卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），47A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 400μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2101pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PowerDI3333-8（G 型）