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DMT3009UDT-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMT3009UDT-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-
DMT3009UDT-7 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1,500 : ￥2.75798卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共源
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.6A（Ta），30A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.1 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：894pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.1W（Ta），16W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：V-DFN3030-8（KS 类）