搜索
发布采购
DMT3009LDT-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMT3009LDT-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
DMT3009LDT-7 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DMT3009LDT-7
原装现货 -
DIODES/美台
-
-
22+ -
1200
-
深圳
-
12-10
-
只做原装20年老牌供应商，现货请私聊
-
DIODES
-
SMD
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原装进口
-
DIODES
-
-
2021+ -
28000
-
苏州
-
-
-
DIODES
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
DMT3009LDT-7 中文资料属性参数
- 现有数量：2,204现货
- 价格：1 : ￥7.39000剪切带（CT）3,000 : ￥3.12728卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1500pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：V-DFN3030-8（K 类）