DMP3085LSD-13
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01
DMP3085LSD-13
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
DMP3085LSD-13 供应商
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Diodes
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
DMP3085LSD-13 中文资料属性参数
- 现有数量:315,438现货
- 价格:1 : ¥3.02000剪切带(CT)2,500 : ¥0.86772卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 5.3A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):563pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.1W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO