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DMN61D8LVTQ-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN61D8LVTQ-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
DMN61D8LVTQ-13 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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DIODES/美台
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TSOT-26
2024 -
91752
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上海市
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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Diodes
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
DMN61D8LVTQ-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：10,000 : ￥1.26663卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 150mA，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12.9pF @ 12V
- 功率 - 最大值：820mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：TSOT-26