DMN6022SSD-13
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
DMN6022SSD-13
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
DMN6022SSD-13 中文资料属性参数
- 现有数量:2,500现货5,000Factory
- 价格:1 : ¥6.20000剪切带(CT)2,500 : ¥2.38322卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q101
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),14A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2110pF @ 30V
- 功率 - 最大值:1.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO