DMN31D5UDAQ-7B
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
DMN31D5UDAQ-7B
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
DMN31D5UDAQ-7B 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货350,000Factory查看交期
- 价格:10,000 : ¥0.30833散装
- 系列:Automotive, AEC-Q101
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 N 沟道
- FET 功能:标准
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):380pC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):22.6pF @ 15V
- 功率 - 最大值:370mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-SMD,无引线
- 供应商器件封装:X2-DFN0806-6