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DMN3061SVTQ-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN3061SVTQ-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
DMN3061SVTQ-7 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥0.86847散装
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：278pF @ 15V
- 功率 - 最大值：880mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：TSOT-26