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DMN3012LDG-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN3012LDG-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
DMN3012LDG-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），20A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA，1.15V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：850pF @ 15V，1480pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.2W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerLDFN
- 供应商器件封装：PowerDI3333-8（D 类）