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DMN2991UDJ
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN2991UDJ
FET、MOSFET 阵列产品简介：DIODE
DMN2991UDJ 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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DIODES/美台
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SOT963
22+ -
567622
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上海市
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原装可开发票
DMN2991UDJ 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：520mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：990 毫欧 @ 100mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.35C @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：21.5pF @ 15V
- 功率 - 最大值：400mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-963
- 供应商器件封装：SOT-963