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DMN2012UCA6-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN2012UCA6-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-
DMN2012UCA6-7 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥4.48054卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：24V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2417pF @ 10V
- 功率 - 最大值：820mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-SMD，无引线
- 供应商器件封装：X3-DSN2718-6