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DMN2009UCA4-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN2009UCA4-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
DMN2009UCA4-7 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货12,000Factory查看交期
- 价格：3,000 : ￥2.35938散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：-
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.3A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.9 毫欧 @ 2.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 640μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.5nC @ 4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1780pF @ 10V
- 功率 - 最大值：900mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：4-XFBGA，DSBGA
- 供应商器件封装：X4-DSN1717-4