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DMN2008LFU-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN2008LFU-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
DMN2008LFU-7 供应商
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DMN2008LFU-7 中文资料属性参数
- 现有数量：15,001现货
- 价格：1 : ￥5.17000剪切带（CT）3,000 : ￥1.98742卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.4 毫欧 @ 5.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42.3nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1418pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：U-DFN2030-6（B 类）