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DMN10H6D2LFDB-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN10H6D2LFDB-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMN10H6D2LFDB-7 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货39,000Factory查看交期
- 价格：3,000 : ￥0.72572卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：270mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 190mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：41pF @ 50V
- 功率 - 最大值：700mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：U-DFN2020-6（B 类）