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DMN1029UFDB-7
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
DMN1029UFDB-7
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMN1029UFDB-7 中文资料属性参数
- 现有数量：178,816现货
- 价格：1 : ￥3.82000剪切带（CT）3,000 : ￥1.08532卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.6nC @ 8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：914pF @ 6V
- 功率 - 最大值：1.4W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：U-DFN2020-6（B 类）