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DMJ65H650SCTI
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMJ65H650SCTI
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
DMJ65H650SCTI 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 2.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：639 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：31W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：ITO-220AB（TH 类）
- 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片