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DMHT10H032LFJ-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMHT10H032LFJ-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045
DMHT10H032LFJ-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥3.97919卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：4 N 沟道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：683pF @ 50V
- 功率 - 最大值：900mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：12-PowerVDFN
- 供应商器件封装：V-DFN5045-12（C 类）