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DMHC3025LSD-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
DMHC3025LSD-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
DMHC3025LSD-13 供应商
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分立式半导体
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DMHC3025LSD-13 中文资料属性参数
- 现有数量：41,448现货
- 价格：1 : ￥7.23000剪切带（CT）2,500 : ￥2.79595卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 和 2 P 沟道（半桥）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A，4.2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.7nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：590pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO