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DMG1016VQ-13-52
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMG1016VQ-13-52
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
DMG1016VQ-13-52 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：10,000 : ￥0.55413散装
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：870mA（Ta），640mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：736.6nC @ 4.5V， 0.62nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V
- 功率 - 最大值：530mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-563