搜索
发布采购
DMC3025LSDQ-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMC3025LSDQ-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFETN/P-CH30VSO-8
DMC3025LSDQ-13 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DMC3025LSDQ-13
原装现货 -
DIODES/美台
-
-
22+ -
20000
-
深圳
-
12-10
-
只做原装20年老牌供应商，现货请私聊
-
DIODES
-
SMD
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原装进口
-
DIODES
-
-
23+ -
80000
-
上海市
-
-
-
原装
DMC3025LSDQ-13 中文资料属性参数
- 现有数量：6,647现货
- 价格：1 : ￥5.56000剪切带（CT）2,500 : ￥2.14600卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Ta），4.2A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V，5.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：501pF @ 15V，590pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO