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DMC10H172SSD-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMC10H172SSD-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMC10H172SSD-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货10,000Factory查看交期
- 价格：2,500 : ￥2.15808散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），1.7A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 1.6A，10V，250 毫欧 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.6nC @ 10V，18nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1145pF @ 50V，1030pF @ 50V
- 功率 - 最大值：1.1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO