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DMC1018UPDWQ-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMC1018UPDWQ-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060
DMC1018UPDWQ-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货15,000Factory查看交期
- 价格：2,500 : ￥2.16053卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：12V，20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），31.3A（Ta），6.7A（Ta），20.9A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V，38 毫欧 @ 8.9A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30.4nC @ 8V，19nC @ 8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1525pF @ 6V，866pF @ 6V
- 功率 - 最大值：2.6W（Ta），25W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：PowerDI5060-8（UXD 类）