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DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：LOW POWER EASY
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 供应商
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INFINEON
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AG-EASY1B
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：19现货
- 价格：1 : ￥1,149.40000托盘
- 系列：EasyPACK?
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：2 个 N 沟道
- FET 功能：碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）：1200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.2 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.15V @ 20mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：149nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4400pF @ 800V
- 功率 - 最大值：20mW
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：AG-EASY1B