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DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
单 FET，MOSFET产品简介：LOW POWER EASY
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 供应商
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- 说明
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INFINEON
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AG-EASY1B
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：24现货
- 价格：1 : ￥834.50000托盘
- 系列：EasyPACK?
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.2 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.15V @ 20mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：149 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+20V，-7V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4400 pF @ 800 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：20mW
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：-
- 封装/外壳：模块