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CTLDM304P-M832DS TR
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
CTLDM304P-M832DS TR
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
CTLDM304P-M832DS TR 中文资料属性参数
- 现有数量：2,961现货
- 价格：1 : ￥7.15000剪切带（CT）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 4.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：760pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.65W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：TLM832DS