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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD88539ND 中文资料属性参数
- 现有数量：3,621现货
- 价格：1 : ￥7.15000剪切带（CT）2,500 : ￥2.87389卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：741pF @ 30V
- 功率 - 最大值：2.1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
产品概述
这款双通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于在低电流电机控制应用中充当半桥。