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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
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上海市
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一级代理原装
CSD87588NT 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥12.80000剪切带（CT）250 : ￥8.34104卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.6 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：736pF @ 15V
- 功率 - 最大值：6W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：5-LGA
- 供应商器件封装：5-PTAB（5x3.5）
产品特性
- 半桥电源块
- 电流 20A 时，系统效率达到 90%
- 高达 25A 的工作电流
- 高密度 - 5mm × 2.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
- 双侧冷却能力
- 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 低电感封装
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 无铅
- 同步降压转换器高电流、低占空比应用
- 高电流、低占空比应用
- 多相位同步降压转换器
- 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
产品概述
此 CSD87588N NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5 mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器成对使用时，均可提一个供高密度电源。
CSD87588NT 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD87588NT
|
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB |
23页,1.06M | 查看 |
CSD87588NT 电路图
CSD87588NT 电路图