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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD87503Q3E 供应商
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CSD87503Q3E 中文资料属性参数
- 现有数量：637现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥12.56000剪切带（CT）2,500 : ￥5.72393卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共源
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13.5 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1020pF @ 15V
- 功率 - 最大值：15.6W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
产品特性
- 双 N 沟道共源极 MOSFET
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 低热阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 ×
3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
CSD87503Q3E 电路图
CSD87503Q3E 电路图