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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD87501L 中文资料属性参数
- 现有数量：9,846现货
- 价格：1 : ￥7.71000剪切带（CT）3,000 : ￥3.51783卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：10-XFLGA
- 供应商器件封装：10-Picostar（3.37x1.47）
产品特性
- 低导通电阻
- 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
- 超薄 – 高 0.2mm
- 无铅
- 符合 RoHS
- 无卤素
- 栅极 ESD 保护
产品概述
此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET
旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。
CSD87501L 电路图
CSD87501L 电路图