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FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
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FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
CSD87384MT 供应商
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
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上海市
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一级代理原装
CSD87384MT 中文资料属性参数
- 现有数量:832现货5,750Factory
- 价格:1 : ¥16.46000剪切带(CT)250 : ¥11.17756卷带(TR)
- 系列:NexFET?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 N 通道(半桥)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.7 毫欧 @ 25A,8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):9.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1150pF @ 15V
- 功率 - 最大值:8W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:5-LGA
- 供应商器件封装:5-PTAB(5x3.5)
CSD87384MT 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
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|
MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB |
23页,1013K | 查看 |

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