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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD87384M 中文资料属性参数
- 现有数量：239现货
- 价格：1 : ￥13.75000剪切带（CT）2,500 : ￥6.65407卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.7 毫欧 @ 25A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1150pF @ 15V
- 功率 - 最大值：8W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：5-LGA
- 供应商器件封装：5-PTAB（5x3.5）
产品特性
- 半桥电源块
- 电流 25A 时，系统效率达到 90.5%
- 高达 30A 的工作电流
- 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
- 双侧冷却能力
- 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 无铅
- 同步降压转换器高频应用高电流、低占空比应用
- 高频应用
- 高电流、低占空比应用
- 多相位同步降压转换器
- 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
产品概述
此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。
CSD87384M 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD87384MT
|
MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB |
23页,1013K | 查看 |
CSD87384M 电路图
CSD87384M 电路图