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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET 电源块
查看详情CSD87335Q3D 供应商
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TI
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LSON-8
2248+ -
2500
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上海市
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原厂原装上海仓现货
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
CSD87335Q3D 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥12.32000剪切带（CT）2,500 : ￥6.27247卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1050pF @ 15V
- 功率 - 最大值：6W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerLDFN
- 供应商器件封装：8-LSON（3.3x3.3）
产品特性
- 半桥电源块
- VIN 高达 27V
- 15A 电流时系统效率达 93.5%
- 工作电流高达 25A
- 高频工作（高达 1.5MHz）
- 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
产品概述
CSD87335Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
CSD87335Q3D 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD87335Q3DT
|
MOSFET 2N-CH 30V 25A |
23页,620K | 查看 |
CSD87335Q3D 电路图
CSD87335Q3D 电路图