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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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原厂原装
22+ -
3288
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上海市
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CSD85302LT 中文资料属性参数
- 现有数量：2,545现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥8.67000剪切带（CT）250 : ￥5.64060卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：1.7W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：4-XFLGA
- 供应商器件封装：4-Picostar（1.31x1.31）
产品特性
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护
产品概述
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
CSD85302LT 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD85302LT
|
MOSFET 2N-CH |
13页,414K | 查看 |
CSD85302LT 电路图
CSD85302LT 电路图