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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双通道共源极、27mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD75207W15 中文资料属性参数
- 现有数量：4,736现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥5.17000剪切带（CT）3,000 : ￥2.06300卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 P 沟道（双）共源
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.9A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：162 毫欧 @ 1A，1.8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：595pF @ 10V
- 功率 - 最大值：700mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA
- 供应商器件封装：9-DSBGA
产品特性
- 双路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
- 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
- 电池管理
- 电池保护
- 负载和输入开关
产品概述
CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。