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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD19537Q3T 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥12.08000剪切带（CT）250 : ￥7.89648卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1680 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
这款 100V 12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。